『先進パワー半導体分科会 第7回研究会』併設展示会へ出展します。

2017/03/27

2017年4月12日(水)、東工大大岡山キャンパスにて開催される『先進パワー半導体分科会 第7回研究会』併設展示会へ出展しますので、ぜひお立ち寄りください。

詳細は以下の通りです。

開催概要

日時	2017 年 4 月 12 日（水）9：55〜17：00 （展示会 9：30〜16：00）
開催場所	東工大大岡山キャンパス 西 9 号館２階 ディジタル多目的ホール （東京都目黒区大岡山 2-12-1，東急大井町線・目黒線「大岡山」駅下車 徒歩 5 分）
ブース No	6

展示内容

パワー半導体では一般的にSiCが採用されていますが、特に車載向けにおいて更なる高耐圧化・ 電力損失の低減が課題になっており、トレンチ型SiC MOSFETが解決策として有望視されています。 当社では、実装技術検証用のSiC基板加工試作が可能です。

ワイドギャップ半導体（SiC、GaN etc)研究開発向け受託加工

• 表面電極（パターニング含む）、PNのイオン注入、裏面電極まで、ワンストップで対応することができます（1枚から対応）。
• 6インチSiCパターン付き基板を展示します。

 

是非当社ブース(No.6)へお立ち寄りください。