『先進パワー半導体分科会 第4回講演会』併設展示会へ出展します。

2017/10/11

2017年11月1日(水)〜2日(木)、名古屋国際会議場にて開催される『先進パワー半導体分科会 第4回講演会』併設展示会へ出展しますので、ぜひお立ち寄りください。

詳細は以下の通りです。

開催概要

日時	11月1日(水) 　11:30〜17:30、11月2日(木)　 9:00〜16:30
開催場所	名古屋国際会議場（〒456-0036　名古屋市熱田区熱田西町1番1号）イベントホール
ブース No	20

展示内容

すでに車載・鉄道などに採用されているSiC、更に次世代では大きなバンドギャップを持つGaN、Ga2O3が 注目されております。 それぞれ特徴・加工性の違う各種基板に対して、当社ではそれぞれの基板の特性に合わせた 表面電極（パターニング含む）、PNのイオン注入、裏面電極まで ワンストップで対応することができます。

ワイドギャップ半導体（SiC、GaN Ga2O3 etc)研究開発向け受託加工

• 1枚から様々なケースの開発向け各種受託加工に対応できます。
• 当日は6インチSiC パターニング付基板を展示します。

 

是非当社ブースへお立ち寄りください。