ナノパターン露光装置"PhableR 100"

PhableR100はタルボ効果を用いることにより周期構造に対して ハーフピッチ150nmの微細で一括露光できる特殊な装置です。 電子ビーム描画レベルの解像度で周期性をもったデバイス開発されているお客様にリーズナブルに導入することが可能となりました。 DUV光源選択時にはハーフピッチ75nmの一括露光を実現します。

• PhableR 100は、300nmピッチ以下の高解像度を実現
  ・PhableR 100 は、EULITHA社独自の露光技術であるPHABLE（Photonics Enablerの短縮形）に基づいたシステムであり、高解像度の周期的構造の、ノンコンタクトのプロキシミティ露光を可能とします。
  ・PhablerR 100は、本質的にDUV投影露光システムと同等の解像度を、複雑で高価な光学系や機械構造なしに実現します。
  ・一般的なマスクアライナーが1-2umの解像度に留まるのに対し、ハーフピッチ150nmのリニアグレーティングが高い均一性で作成可能です。
  ・リニアまたは曲面グレーティングや、六角形/四角形のシンメトリーな2Dフォトニック結晶パターンが300nm以下の周期で転写出来ます。
  ・全面露光
  ・マスクと基板は手動で装置にセットされ、露光プロセスは搭載されたコンピュータによって制御されます。
• ノンコンタクト：マスクをダメージやコンタミネーションから保護
  ・プロキシミティまたはコンタクトモードにすれば通常のマスクアライナーとしても使用でき、ミクロンスケールの構造も転写可能です。
• 事実上無制限の深さ方向フォーカス
  ・PhableR 100が持つ、現実的に無制限の深さ方向のフォーカスによって、高解像度パターンを、フォトニック用途で用いられる非平坦な基板にさえ高均一に転写する事が可能です。
• 一般的なフォトレジストや材料が利用可能
  ・PhableR 100 は、φ100mmまでの基板と、業界標準のクロムマスクや位相シフトマスクに対応しています。
  ・標準的なi線用フォトレジスト（ポジ/ネガ）が利用可能です。
• 非平坦基板に向く（例：エピウェハ）
• 高均一性
• オーバーレイアラインメント能力
• マスクに対して最大２倍の分解能のパターニングを実現
• 適用分野は、フォトニクス、光回折や分光学向けの回折格子の製作、LEDの光取り出しパターン、PSS（Patterned Sapphire Substrates)、カラーフィルターの研究開発などです。
• DUV光源選択で75nm ハーフピッチ（L/S）を実現可能です。