CVD performance list
| Device SPEC | Working Atmosphere | Principal Process | Handling Substrate Size |
|---|---|---|---|
| Normal Pressure CVD | Clean room, Substrate can be washed | SiO2, PSG, etc. | Φ4", Φ5" |
| LP-CVD | Clean room, Substrate can be washed | poly-Si, etc. | Φ2", Φ3", Φ4", Φ6" |
| PE-CVD | Clean room, Substrate can be washed | SiO2、SiN | Φ2", Φ3," Φ4", Φ6", Φ8" |
| Clean room, Substrate can be washed | TEOS | Φ4", Φ5", Φ6" |
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| 製品分類1 | Deposition, Photolithography, Etching |
|---|---|
| 製品分類2 | Insulation layer |
| プロセス分類 | Prptotyping, R&D |
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