エッチング装置仕様 / SEM写真
RIE
| 装置名 | EXAM |
|---|---|
| エッチング方式 | RIE （平行平板型、CCP） |
| 基板サイズ | Φ230mm以内 |
| 基板温度 | 20℃ |
| 電源 | 高周波 ： 13.56MHz、max 500W |
| ガス種 | SF6、CF4、CHF3、O2、Ar |
| その他 | - |
ICP
| 装置名 | SID-1246 |
|---|---|
| エッチング方式 | RIE （バイアス独立型、ICP） |
| 基板サイズ | Φ4インチ又は6インチ |
| 基板温度 | -10℃～40℃ |
| 電源 | 高周波 ： 13.56MHz、max 2kW 低周波 ： 460kHz、max 300W |
| ガス種 | SF6、CF4、CHF3、O2、Ar |
| その他 | 簡易ロードロック、静電チャック |
SEM画像
ICPによるSi加工例
RIEによるSi加工例（上部レジスト付）
ウェットエッチングによるガラス加工例
ICPによるSi加工例（お試しモールド）
酸化膜犠牲層エッチング加工例
Si（シリコン）犠牲層エッチング加工例
酸化膜犠牲層エッチング加工例加工断面
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| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング |
|---|---|
| 製品分類2 | フォトリソ・エッチング |
| プロセス分類 | 試作・研究開発プロセス |
| サムネイル画像 |
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| 説明文 |
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| リダイレクトURL |
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