パワーデバイス向け裏面電極成膜
ダイシング時チッピングが発生しないパワーデバイス向け裏面電極成膜
近年需要の高い IGBT や Diode といったパワーデバイス向けの裏面電極成膜を、試作から量産まで承ります。
特徴
- クリーンルーム内作業（Class 1000）[写真(1)]
- DHFによる自然酸化膜除去（成膜加工直前に処理）[写真(2)]
- ダイシングのチッピング発生しない膜密着力を実現
- 薄厚ウェハへの対応（t=100µmの実績あり）
主な構造
- Ti-Ni-Au
- Ti-Ni-Ag
- Al-1%Si etc.
このようなお客様に
- 裏面電極としての密着性やオーミックコンタクトの優れた膜が欲しい
- 裏面電極の膜構成や膜厚を変えた実験を行いたい
- 裏面電極の少量産の対応ができる委託先を探している
DHF洗浄試験（Si φ8”）
HF洗浄 条件検討項目
1. チャックによるウェハ損傷の有無
2. 裏面への薬液の回り込みの有無
3. HF洗浄効果の確認
1.チャックによるウェハ損傷の有無
| 使用装置 | Polos MCD300 [写真] |
|---|---|
| チャック 方式 | 薄膜ウェハー専用のチャック使用 |
| 確認Si ウェハ | 625µm厚、165µm厚、100µm厚 |
結果：3種厚さのSiウェハで、割れやクラックなどの発生は確認されなかった。
2.薬液裏面回り込みの有無
| 確認方法 | スピンしているウェハに超純水を滴下し、回転停止後、ウェハ裏面に水滴がついていないか確認 |
|---|---|
| スピン条件 | A)超純水：当社洗浄条件で実施し、裏面を確認 B)DHF ：当社洗浄条件で実施し、裏面を確認 |
結果：A、B、A+Bの3条件とも、当社洗浄条件で実施。裏面への薬液回り込みは確認されなかった。
＊厚さ違いのウェハにおいても同様
3.HF洗浄の効果の確認
| 確認方法 | フッ酸洗浄の処理をしたウェハと、 未処理のウェハに 超純水を散布し、表面の撥水状態を確認する |
|---|---|
| 使用 ウェハ | 100µm厚と165µm厚のSiウェハ |
結果：HF洗浄有り＝疎水性 HF洗浄無し＝親水性
4.酸化膜除去測定
| 試験ウェハ | ・φ8"Siウェハ ・約100nm熱酸化膜付き ・ミラー面のみを洗浄 |
|---|---|
| 洗浄条件 | 当社条件 |
| 自然酸化膜除去量 | ・平均エッチング量 3.2nm ・最高エッチング量 4.0nm（最外周） ・最低エッチング量 2.8nm（中心） |
結果：一般的な自然酸化膜の膜厚定義：2.4nm、最低エッチング量2.8nm
以上の数値から、自然酸化膜は除去できたものと判断（要望により洗浄時間を追加することは可能）
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記入時注意事項
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| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング |
|---|---|
| 製品分類2 | 裏面電極 |
| プロセス分類 | 試作・研究開発プロセス |
| サムネイル画像 |  |
| 説明文 |
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