スパッタでCVD法と同等の絶縁膜特性を持つ、各種絶縁膜を実現
スパッタで「CVD法と同等の絶縁特性を持つ各種絶縁膜」を実現！
SiO2、SiN、SiONで高い絶縁性を持つ膜をスパッタで成膜できます。 絶縁用途や保護膜用途として様々な分野でご使用頂けます。
低温で成膜できる為、レジスト付き基板やフィルム等、熱に弱い基材への成膜も対応可能！
| 条件 | 膜厚（nm） | 比誘電率 | 絶縁破壊電界強度（MV/cm） | |
| SiO2 | (1) 標準 | 215 | 3.8 | 11.6 |
| (2) レジスト用 | 185 | 4 | 10.7 | |
| SiN | (1) 緻密 | 225 | 2 | 8 |
| (2) 標準 | 192.4 | 6.9 | 8.3 | |
| SiON | (1) 緻密 | 227 | 4.4 | 13.2 |
| (2) 標準 | 190.8 | 13.8 | 9.4 | |
| SiN PE-CVD | - | 216.9 | 6.4 | 8.7 |
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| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング |
|---|---|
| 製品分類2 | 絶縁膜 |
| プロセス分類 | 試作・研究開発プロセス |
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