フォトリソ エッチング加工
エッチング受託加工：フォトリソ、RIE/ICP/ウェットエッチングのご案内
協同インターナショナルの提供する半導体フォトリソグラフィー・エッチング受託加工サービスは、開発コストや開発スピードの負担を低減させ、製品開発の積極的支援を行っております。
回路形成/テストパターン製作/表面改質/評価テスト/条件確認/と言った様々な要求に対してRIEやウェットエッチング、イオンミリングの技術で対応いたします。
また近年のパターンに求められる深堀りやナノインプリント技術に必要な型の作成にはＩＣＰやD-RIEで対応いたします。更に膜形成やエッチング以外にも各種基板の提供から露光やアッシングプロセスに至るまで広範囲にわたって微細加工技術を支援いたします。
対応可能なフォトリソ、エッチング加工
フォトリソグラフィ
- コンタクトアライナ（最小露光寸法 3µm）
- i線ステッパー（最小露光寸法 0.5µm）
- EB描画（最小露光寸法 50nm）
エッチング
- ドライエッチング（RIE、ICP）
- ウエットエッチング（酸、アルカリ系 各種）
フォトリソグラフィ・エッチング 加工一例
| 配線パターン | Al、Cu、Au、Ag、ITO等 |
|---|---|
| 絶縁膜パターン | SiO2、SiN等 |
| レジストパターン | ポジ、ネガ、永久レジスト等 |
| MEMS加工 | 等方、異方性エッチングによる立体形状 |
| モールド | Si、石英、樹脂等 |
| 流体チップ 等 | 2液混合、十字路、蛇行形状等 |
加工例（1）：φ1µｍピラーパターン(アスペクト1７）
| 工程 | 備考 |
|---|---|
| マスク膜形成 | SiO2 |
| レジスト塗布 | ポジレジスト |
| 露光 | ステッパー |
| 現像 | TMAH 2.38% |
| RIEエッチング | EXAM |
| レジスト剥離 | 有機溶剤 |
| ICPエッチング | SID-1246 |
| 酸化膜除去 | HF |
加工例（2）：Cuパターン
| 工程 | 備考 |
|---|---|
| レジスト塗布 | ポジレジスト |
| 露光 | コンタクトアライナー |
| 現像 | TMAH 2.38% |
| ウェットエッチング | 酸系エッチャント |
| レジスト剥離 | 有機溶剤 |
加工例（3）：流体チップ
工程 備考 マスク膜形成 SiO2 レジスト塗布 ポジレジスト 露光 コンタクトアライナー 現像 TMAH 2.38% RIEエッチング EXAM レジスト剥離 有機溶剤 ICPエッチング SID-1246 酸化膜除去 HF
| 工程 | 備考 |
|---|---|
| マスク膜形成 | SiO2 |
| レジスト塗布 | ポジレジスト |
| 露光 | コンタクトアライナー |
| 現像 | TMAH 2.38% |
| RIEエッチング | EXAM |
| レジスト剥離 | 有機溶剤 |
| ICPエッチング | SID-1246 |
| 酸化膜除去 | HF |
パターン加工の詳細をご提示いただき、各設備を駆使して、お客様のご希望仕様を実現していきます。 微細加工（サブミクロン、ナノサイズ等）も検討できます。
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| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング |
|---|---|
| 製品分類2 | フォトリソ・エッチング |
| プロセス分類 | 試作・研究開発プロセス |
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